Ua ausia le malosi o le cell heterojunction o le 26.6% i luga ole P-type silicon wafers.

O le heterojunction na faia i le amorphous / crystalline silicon (a-Si: H / c-Si) atinaʻe o loʻo i ai mea faʻaeletoroni faʻapitoa, talafeagai mo le silicon heterojunction (SHJ) solar cell. O le tu'ufa'atasia o se mea e sili ona manifinifi a-Si:H passivation layer na maua ai le maualuga o le voli matala (Voc) o le 750 mV. E le gata i lea, o le a-Si:H contact layer, faʻapipiʻiina i le n-ituaiga poʻo le p-ituaiga, e mafai ona faʻamaonia i totonu o se vaega fefiloi, faʻaitiitia ai le faʻaogaina o le parasitic ma faʻaleleia le filifilia o le avetaʻavale ma le faʻaogaina lelei.

LONGi Green Energy Technology Co., Ltd.'s Xu Xixiang, Li Zhenguo, ma isi ua ausia le 26.6% lelei SHJ solar cell i P-ituaiga silicon wafers. Na faʻaaogaina e le au tusitala se taʻiala mo le faʻaogaina o le phosphorus ma faʻaogaina le nanocrystalline silicon (nc-Si: H) mo fesoʻotaʻiga-filifiliga, faʻateleina le faʻaogaina o le P-type SHJ solar cell i le 26.56%, ma faʻavaeina ai se faʻailoga fou mo le P. -ituaiga suauu sola silikon.

E tuʻuina atu e le au tusitala se faʻatalanoaga auʻiliʻili i le atinaʻeina o le masini ma le faʻaleleia atili o le photovoltaic. Mulimuli ane, sa fa'atautaia se su'esu'ega o le pa'u eletise e fa'amautu ai le ala o le atina'e i le lumana'i o le P-type SHJ solar cell technology.